去掉帖子详细页soso相关帖子方法【分享】

gg81 发表于 2012-2-29 02:17
正确的方法是只需要去掉

原来也是不行的。。

但是 链接不是伪静态的，怎么修改 成伪静态的

相关帖子很好，为什么要去掉？？？

xp500w 发表于 2012-7-28 11:42
相关帖子很好，为什么要去掉？？？

soso相关帖子，这个不是不好，只是很多用户使用了第3方相关帖子插件，或者使用了标签相关搜索，所以soso的这个内容详细页的相关帖子功能成了累赘。

我还意外。。。

mark一下，还是比较有用的，有两个相关搜索没有意义

路过！呵呵

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到底哪一个可以用？

LED照明的优缺点及产业链知识汇总
led是通电时可发光的半导体材料制成的发光元件，材料使用III-V族化学元素（如：磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等），发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与电洞的结合，过剩的能量会以光的形式释出，达成发光的效果，属于冷性发光。
    LED最大的特点在于：无须暖灯时间(idlingtime)、反应速度很快(约在10谭-9秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产，具高可靠度，容易配合应用上的需要制成极小或阵列式的元件，适用范围颇广，如汽车、通讯产业、电脑、交通号誌灯、液晶面板用背光源、LED屏幕等。

    LED产业主要可以分成上、中、下游三类。上游为单芯片及其外延，中游为LED芯片加工，下游为封装测试以及应用。其中，上游和中游技术含量较高，资本投入密度大。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。LED发光顏色与亮度由磊晶材料决定，且磊晶占LED制造成本703左右，对LED产业极为重要。

    上游是由磊芯片形成，这种磊芯片长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是一个平面金属一样。常见的外延方法有液相外延法（LPE）、气相外延法（VPE）以及金属有机化学汽相沉积（MOCVD）等，其中VPE和LPE技术都已相当成熟，可用来生长一般亮度LED。而生长高亮度LED必须采用MOCVD方法。上游磊晶制程顺序为：单芯片(III-V族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。

    中游厂商根据LED的性能需求进行器件结构和工艺设计，通过外延片扩散、然后金属镀膜，再进行光刻、热处理、形成金属电极，接着将基板磨薄拋光后进行切割。依照芯片的大小，可以切割为二万到四万个芯片。这些芯片长得像沙滩上的沙子一样，通常用特殊胶带固定之后，再送到下游厂商作封装处理。中游芯片制程顺序为：磊芯片、金属膜蒸镀、光罩、蚀刻、热处理、切割、崩裂、测量。

    下游包括LED芯片的封装测试和应用。LED封装是指将外引线连接到LED芯片的电极上，形成LED器件，封装起着保护LED芯片和提高光取出效率的作用。下游厂商封装处理顺序为：芯片、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。

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